Nature Electronics:将高压薄膜电子器件单片集成到低压集成电路上

钙帮小弟

2019-11-19

        可以通过附加器件层的单片三维集成来增强硅互补金属-氧化物-半导体集成电路的性能。例如，硅集成电路在低电压（约1 V）下工作，可以通过单片集成薄膜晶体管来提供高电压处理能力。近日，密歇根大学Rebecca L. Peterson团队研究发现可以使用空中解决方案将高压非晶氧化物半导体薄膜晶体管集成到包含100纳米节点鳍式场效应晶体管的硅集成电路的顶部。为了解决这两个器件层之间的电压不匹配的问题，研究人员使用顶部肖特基底部欧姆接触结构来降低非晶氧化物半导体电路的开关电压。这些触点用于形成具有出色开关性能的肖特基门控薄膜晶体管和垂直薄膜二极管。结果，可以创建开关电压小于1.2 V的高压非晶氧化物半导体电路，该电路可以直接与硅集成电路集成。

Peterson, R. L. et al. Monolithic integration of high-voltage thin-film electronics on low-voltage integrated circuits using a solution process. Nature Electronics 2019. 

DOI:10.1038/s41928-019-0316-0

https://www.nature.com/articles/s41928-019-0316-0