ACS Catal: Ta3N5缺陷对光催化分解水的影响


Ta3N5半导体具有光驱动光催化/光电化学水分解活性。有鉴于此,电子科技大学李严波、慕尼黑工业大学Ian D. Sharp等报道了对缺陷态Ta3N5进行光谱、理论计算相结合进行深入研究,发现了Ta3N5中的氧掺杂位点是浅施主掺杂,氮缺陷、还原态的Ta3+是深陷阱能级,氮缺陷、还原态的Ta3+是深陷阱能级,氮缺陷、Ta3+的位置分别在Ta3N5低于导带的~0.43和~0.64 eV附近。
作者介绍
李严波,分别于2005年,2007年于上海交通大学获学士学位,硕士学位,2010年于东京大学获博士学位。2010~2014年在东京大学做博士后工作,2014~2016年于劳伦斯-伯克利国家实验室做博士后,2016年起入职电子科技大学。
研究领域:半导体物理及半导体光电化学;薄膜及纳米材料合成(PVD、CVD、ALD);光电催化水分解;太阳能电池;光电探测
网址:https://www.x-mol.com/groups/li_yanbo
参考文献
Jie Fu, Faze Wang, Yequan Xiao, Yisen Yao, Chao Feng, Le Chang, Chang-Ming Jiang, Viktoria Kunzelmann, Z. Wang, Alexander O. Govorov, Ian D. Sharp*, and Yanbo Li*
Identifying Performance-Limiting Deep Traps in Ta3N5 for Solar Water Splitting, ACS Catal. 2020
DOI: 10.1021/acscatal.0c02648
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acscatal.0c02648