ACS Nano:鞘内给药纳米簇用于保护神经元免受氧化应激作用

2019-10-21
氧化应激是脑缺血再灌注(I/R)损伤的主要原因之一,而实现抗氧化剂在脑部的高效积累则有望有效防止大脑出现I/R损伤。威斯康星大学麦迪逊分校Dalong Ni博士和蔡伟波教授合作利用正电子发射断层成像(PET)技术,对纳米抗氧化剂多金属氧酸盐(POM)在大脑中的摄取进行了非侵入性地实时监测。研究结果表明,POM纳米簇在被鞘内注射后会迅速到达缺血半暗区并有效清除活性氧(ROS),进而抑制氧化应激并使得脑I/R损伤模型的脑梗死面积显著缩小,神经功能恢复。这一研究表明,通过鞘内注射纳米抗氧化剂是改善脑I/R损伤的一种新型高效的治疗策略。
Shiyong Li, Dalong Ni, Weibo Cai. et al. Intrathecal Administration of Nanoclusters for Protecting Neurons against Oxidative Stress in Cerebral Ischemia/Reperfusion Injury. ACS Nano. 2019
DOI: 10.1021/acsnano.9b06780
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.9b06780
版权声明:
本平台根据相关科技期刊文献、教材以及网站编译整理的内容,仅用于对相关科学作品的介绍、评论以及课堂教学或科学研究,不得作为商业用途。