AFM：华中科技大学报道半导体VS2的合成

纳米技术

2020-03-03

2D VS₂材料的H晶体相的半导体性和T晶体金属相相比，有可能在半导体相关应用中展现其价值。目前，由于H晶体相的稳定性，半导体型VS₂难以通过合成实验得到。华中科技大学的翟天佑等首次通过熔盐（molten salt）过程在云母基底上，经由外延生长合成了250 µm的单层H晶体相VS₂。

本文要点：

（1）透射电子显微镜对VS2的晶体结构进行了表征。

（2）通过H晶相的VS2热稳定性研究，发现稳定温度高达500 K。

（3）场效应晶体管器件展现H晶相的VS₂的半导体性为p型半导体。

参考文献

Jianwei Su; Mingshan Wang; Yuan Li; Fakun Wang; Qiao Chen; Peng Luo; Junbo Han; Shun Wang; Huiqiao Li; Tianyou Zhai

Sub‐Millimeter‐Scale Monolayer p‐Type H‐Phase VS2，Adv. Funct. Mater. 2020, 2000240.

DOI: 10.1002/adfm.202000240

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adfm.202000240