AFM：二维InSe高性能近红外探测

纳米技术

2020-10-17

由于具有非常高的导电性，二维InSe是最近受到广泛关注的一种半金属结构卤化物，能带≈1.26 eV合适用于IR红外检测，有鉴于此，光州科学技术院Kayoung Lee等报道了一种高性能可见~近红外区间的光探测器（波长范围：470~980 nm），该光探测器中用表面修饰InSe作为channel（InSe顶部修饰AuCl₃进行p性修饰），少层石墨烯（FLG）作为电极。

本文要点：

（1）

该红外光探测器在λ=470 nm中实现了≈199300 A W^-1的光响应性，探测性D*≈3×1013 Jones；在λ=980 nm的光响应性实现≈7870 A W^-1，探测性D*≈1.5×10¹³ Jones。该结果明显比以往二维结构材料红外光探测器在无外加偏压中的性能更高。

（2）

界面修饰AuCl₃在InSe界面和FLG电极之间的连接产生能带的弯折，有效的改善了电荷-空穴分离、光探测性能。作者通过对光探测器的结构、掺杂进行调控，验证了该器件的光探测机理。此外，将六方结构BN组装到探测器中，该器件能够稳定工作3个月。

参考文献

Hanbyeol Jang, Yongwook Seok, YiTaek Choi, Sang-Hoo Cho, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, and Kayoung Lee*

High-Performance Near-Infrared Photodetectors Based on Surface-Doped InSe, Adv. Funct. Mater. 2020, 2006788

DOI：10.1002/adfm.202006788

https://www.onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adfm.202006788