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翟天佑等Adv Mater综述：用于光电器件和集成电路的二维材料器件图案化

纳米技术
2022-05-03


目前经典的3D半导体材料在伴随着尺寸降低和持续增加的集成密度的发展中难以达到芯片器件的需求，同时现如今的芯片制备技术接近了Moore定律的物理极限。

针对这个缺点，石墨烯、过渡金属硫化物等二维材料由于独特的优异性质，可能在将来的忆阻器、逻辑电路、光子器件等场景具有发展前景。因此，目前亟需发展新型纳米图案化方法实现高品质晶圆尺寸图案2D材料器件，以促进2D材料与器件从实验室迈向工业化集成水平的应用。

有鉴于此，华中科技大学翟天佑、李渊等综述报道目前纳米图案化技术的相关研究进展，特别是大尺寸实用化2D材料图案化的方法。

本文要点：

(1)

基于不同技术路线，总结了2D材料集成制备逻辑电路、忆阻器、光电器件等常营的独特需求和其优势。最后，对2D材料未来在集成芯片器件进行纳米图案化技术的机会和挑战进行展望。

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参考文献

Shenghong Liu, Jing Wang, Jiefan Shao, Decai Ouyang, Wenjing Zhang, Shiyuan Liu, Yuan Li, Tianyou Zhai, Nanopatterning Technologies of Two-Dimensional Materials for Integrated Electronic and Optoelectronic Devices, Adv. Mater. 2022

DOI: 10.1002/adma.202200734

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202200734




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