UNIST最新Nature Electronics: 基于隧道的三元金属氧化物半导体技术

坡肉先生

2019-07-20

通过从二元逻辑系统转变为三元逻辑系统，可以克服互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的功率密度限制。然而，三元器件通常基于多阈值电压方案，这使得功率可扩展且可大规模生产的三元器件平台的开发具有挑战性。国立蔚山科学技术院Kyung Rok Kim团队报道了晶圆级和节能三元CMOS技术。该方法基于单个阈值电压，并依赖于使用源自量子力学带间隧穿的关态恒定电流产生的第三电压状态。在0.5V的低施加电压下，该恒定电流可以缩小到亚皮安级别。三元CMOS反相器的分析说明了第三中间输出电压状态的变化容限，以及其对称的输入电压传输特性，可以制备具有三元逻辑和存储器锁存单元功能的集成电路。

Jeong, J. W., Choi, Y.-E. et al. Tunnelling-based ternary metal–oxide–semiconductor technology. Nature Electronics, 2019

Doi:10.1038/s41928-019-0272-8 (2019).

https://www.nature.com/articles/s41928-019-0272-8