Nat. Mater:先进高性能电子器件用纳米薄氧化铟锡
匆匆走过
2019-08-17
氧化铟锡（ITO）由于其高透光率和高导电性而被广泛应用于光电子学，但其退化掺杂限制了其作为半导体材料的应用。Yanqing Wu创造了基于超薄（小于4 nm）ITO沟道和等效氧化层厚度为0.8 nm的高质量掺镧氧化铪介质的短沟道有源晶体管，其性能与现有金属氧化物和新兴二维材料相媲美。测量了40 nm晶体管的短通道抗扰度，其阈下斜率为每十年66 mV，关断状态电流<100 fA μm–1，开/关比高达5.5×109。在亚阈值状态下工作的逻辑反相器在0.5 V的低电源电压下显示出178的高增益。此外，证明了射频晶体管的测量截止频率ft和最大振荡频率fmax均大于10 GHz。ITO独特的宽带隙和低介电常数为未来先进低功率电子器件在5-nm以下的扩展提供了前景。
Li, S.; Tian, M.; Gao, Q.; Wang, M.; Li, T.; Hu, Q.; Li, X.; Wu, Y., Nanometre-thin indium tin oxide for advanced high-performance electronics. Nat. Mater. 2019.
DOI：10.1038/s41563-019-0455-8
https://www.nature.com/articles/s41563-019-0455-8
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