JPCL:无铅Cs2SnCl6纳米晶中Sb3 +掺杂诱导的三重态自陷激子发射

TanK

2019-11-17

      钙钛矿纳米晶（NCs）掺杂策略为新兴的光学和光电应用打开了新的机遇。 近日，北京科技大学Zhiguo Xia研究团队展示了全无机无铅Cs₂SnCl₆和Sb^{3 +}掺杂的Cs₂SnCl₆ NC的热注射合成。 Cs₂SnCl₆ NCs在438 nm处出现蓝色发射峰，而Sb^{3 +}掺杂的NCs在615 nm处出现新的宽带发射峰。 研究发现，宽带橙色发射的形成源自三重态自陷激子，归因于3Pn-1S0跃迁（n = 0，1 ，2）。 该工作在Sb^{3 +}掺杂的Cs₂SnCl₆材料中的研究结果提供了对掺杂诱导的发射中心机理的深刻见解，它扩展了掺杂卤化物NCs光学性质的现有知识，可作进一步研究。

Xia, Z. et al. Sb³⁺ Doping-Induced Triplet Self-Trapped Excitons Emission in Lead-Free Cs₂SnCl₆ Nanocrystals. JPCL 2019.

DOI:10.1021/acs.jpclett.9b03035

https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.jpclett.9b03035