AFM：PbS/ZnO高量子产率红外量子点LED
纳米技术
不平衡电荷注入对胶体量子点发光二极管（LED）材料的性能产生损害，对量子效率、亮度、寿命等都有损坏。之前的研究中，红外型胶体量子点在低辐射区间能达到较高的量子效率，但是在更加贴近试剂情况的高辐射区间，量子效率发生了较为严重的衰减。因此，巴塞罗那科学技术学院Gerasimos Konstantatos等报道了一种优化方法，优化多带隙能带胶体量子点的电荷，改善了电荷的平衡状态，实现了在较高强度的近红外辐照中保持长时间稳定工作。
将PbS和ZnO混和形成三元混合量子点体系，其中ZnO作为消除PbS量子点中的缺陷态。这种方法通过在超越纳米晶体的级别调控能级结构，实现了PbS胶体纳米晶材料的短波红外量子点材料在较高的辐射强度（≈ 5 W sr-1 m-2）达到了破纪录的8 %量子效率。此外，作者发现Auger复合消除和电荷注入之间实现了平衡，并且在1 W sr-1 m-2的辐射强度和26068 h保持稳定。
参考文献
Santanu Pradhan, Mariona Dalmases, Ayse-Bilgehan Baspinar, Gerasimos Konstantatos*
Highly Efficient, Bright, and Stable Colloidal Quantum Dot Short‐Wave Infrared Light‐Emitting Diodes, Adv. Mater. Mater. 2020
DOI：10.1002/adfm.202004445
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202004445
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