ACS Nano综述：二维材料晶界生长、控制、生长机理
纳米技术
晶界作为一类晶格缺陷（lattice imperfection）现象，广泛应用于二维材料中，并对材料的性质和器件性能起到至关重要的作用，在这种晶界作用中包括不同尺度中进行晶界的表征，追踪合成过程中晶界生成的动态过程，通过调控晶界的组成和密度进而调控材料的性能，理解材料性能之间的关系等。中科院化学所刘云圻、武斌等在本综述中对此领域中的最新进展进行总结。
介绍了表征晶界结构的一些方法，高分辨透射电子显微镜直接成像、光学显微镜成像、等离子体激元传播或二次谐波的产生等。通过理论模拟方法研究了晶界动态生长过程。总结了控制晶界形成、晶界图案的方法，探讨了材料晶界对材料性质的影响。并对晶界材料进行展望。
刘云圻教授，1975年南京大学毕业后入职中科院化学所。其中，1985年至1988年在日本理化学研究所进修；1991年于日本东京工业大学获博士学位；1997年至1998年在美国东北大学进行访问研究；2000年3月至6月美国俄亥俄州立大学和华盛顿大学访问教授；2004年1月至3月，日本京都大学客员教授。先后受聘为清华大学化学系、武汉大学化学系、华中科技大学化学系、东北师范大学兼职教授、和华东理工大学名誉教授。刘云圻研究员主要从事分子材料的设计、合成，包括π-共轭小分子、高分子和石墨烯；以及这些材料在光电子器件中的应用，包括场效应晶体管和分子器件。
参考文献
Wenqian Yao, Bin Wu*, and Yunqi Liu*
Growth and Grain Boundaries in 2D Materials, ACS Nano. 2020
DOI：10.1021/acsnano.0c03558
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c03558
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