AM：基于2D材料的忆阻器作为神经形态电子的人工突触
Natt
2020-09-29
忆阻器（memristor）是记忆和电阻的复合词，近年来已成为大脑启发式神经形态计算的最重要电子组件之一。该设备能够通过记忆先前的电输入历史来控制多种状态下的电阻，从而使其能够模仿人脑神经网络中的生物突触。在许多忆阻材料候选材料中，包括金属氧化物、有机材料和低维纳米材料，二维层状材料因其出色的物理性能和电可调谐性，低功率转换能力以及异质集成兼容性而被广泛研究。因此，据报道，关于基于二维材料的忆阻器的大量实验演示显示了其独特的忆阻特性和新颖的突触功能，这与传统的基于本体材料的系统不同。
本文内容:
高丽大学Chul‐Ho Lee等人在本文概述了基于二维材料的忆阻器的结构、机理和忆阻特性的最新进展。此外，总结了调节和增强基于二维忆阻器的人工突触的新型突触功能的新策略。最后，作为一个前瞻性的观点，还讨论了这些新兴材料对未来神经形态电子学的潜力和挑战。
参考文献：
Huh, W., et al., Memristors Based on 2D Materials as an Artificial Synapse for Neuromorphic Electronics. Adv. Mater. 2020, 2002092.
https://doi.org/10.1002/adma.202002092
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