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JACS:聚Bi原子簇阴离子的合成

纳米技术
2021-04-28


富Bi的聚阴离子在构建纳米含Bi材料中具有独特前景,目前针对富Bi聚阴离子的相关研究还比较少,有鉴于此,马尔堡大学Stefanie Dehnen等报道了以化学式为K5Ga2Bi4的富Bi聚阴离子作为前体分子,合成新型分子[Bi@Ga8(Bi2)6]q- (q=3, 5)(1、2)、(Ga2Bi16)4-(2)、[{Ru(cod)}4Bi18]4-(3),这些分子中的Bi含量比目前含量最高的Bi113-更高。其中23中的Bi原子数目比双主族阴离子(Ge4Bi14)4-更高,23中的Bi原子的数目达到目前含Bi原子数目最高的阴离子、阳离子,[K2Zn20Bi16]6–, [(Bi8)Ru(Bi8)]6+, [(Bi8)Au(Bi8)]5+

本文要点:

(1)

12分子通过含有[La(C5Me4H)3]的反应物合成得到,其中[La(C5Me4H)3]促进了反应的进行,同时未参与产物的晶体结构中。当反应物中含有[Ru(cod)(H2CC(Me)CH2)2],反应能够以新路线生成两个[{Ru(cod)}2Bi9]2–结构以Bi-Bi键合连接的二聚体分子,该分子中含有迄今为止数目最高的Bi原子,可能导致形成更大的聚Bi阴离子结构。

(2)

作者通过质谱法对反应中生成簇合物之前的过程进行研究,通过量子化学计算对这种结构产生的原因、稳定性、键合结构进行揭示。

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参考文献

Fuxing Pan, Shangxin Wei, Lukas Guggolz, Armin R. Eulenstein, Frank Tambornino, and Stefanie Dehnen*, Insights into Formation and Relationship of Multimetallic Clusters: On the Way toward Bi-Rich Nanostructures, J. Am. Chem. Soc. 2021

DOI: 10.1021/jacs.1c02653

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.1c02653




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