纳米人

EES：深度依赖的缺陷管理用于高性能钙钛矿太阳能电池

坡肉先生

2021-10-27

体晶界和异质结界面的缺陷可能决定了钙钛矿太阳能电池（PSC）在运行过程中的功率损失，这被认为是进一步发展这种新兴光伏技术的主要障碍。然而，目前已报道的常见调节策略不能同时修复位于晶界和界面的缺陷。北京大学的朱瑞，Lichen Zhao和中央研究院Cheng-Hung Hou等人证明了一种深度依赖缺陷管理的策略可以同时调节钙钛矿薄膜中的体积和界面缺陷。

本文要点：

1）根据多晶钙钛矿薄膜中所采用的二元调节剂的明显渗透性，一个调节剂可以穿透体相到达掩埋界面，伴随着体相和掩埋界面缺陷愈合，而另一个则与表面缺陷一起锚定在表面顶部修饰，确保从界面到体相同时进行缺陷管理。

2）因此，调制的钙钛矿薄膜的非辐射损耗减轻和电荷传输得到改善。PSC的效率从21.79%提高到了24.36%。普遍有效的深度相关操作策略为空间缺陷调制提供了新的见解，这将为高效钙钛矿光电器件的缺陷调节剂设计开辟一条有前途的方法。