ACS Nano综述：低维In2Se3化合物：从材料制备到器件应用

Nanoyu

2021-12-07

纳米结构的In₂Se₃化合物在电子学、光电子学、热电学等领域有着广泛的应用。近年来，低维In₂Se₃中铁电性的发现引起了人们对In₂Se₃纳米结构和先进功能器件的研究热潮。此外，In₂Se₃的铁电、热电和光电性质与其晶体结构密切相关。

近日，电子科技大学王志明教授，李含冬教授总结了低维In₂Se₃的最新进展和挑战，包括结构、制备、性能和应用。

文章要点

1）研究人员首先简单概述了低维In₂Se₃的基本晶体结构和基本电子能带结构。

2）研究人员接下来详细总结了低维In₂Se₃的各种制备方法，包括“自上而下”剥离法、液相合成法、气相生长法和气-液-固（VLS）法。

3）作者概述了纯In₂Se₃和In₂Se₃基异质结的铁电性、光电和热电性，并详细总结了它们的应用。

4）作者最后指出，尽管在人们在低维 In₂Se₃的晶型、制备、性质和应用等方面已经取得了很大的进展，但仍有一些方面需要进一步的研究，主要包括：铁电β‘-In₂Se₃相的研究，分子束外延（MBE）面临的挑战以及先进功能器件的探索。

参考文献

Junye Li, et al, Low-Dimensional In₂Se₃ Compounds: From Material Preparations to Device Applications, ACS Nano, 2021

DOI: 10.1021/acsnano.1c03836

https://doi.org/10.1021/acsnano.1c03836