ACS Nano:一种面向高性能电化学电容器的电化学腐蚀法制备无氟Ti3C2Tx的简化方法

MXenes在电化学储能和其他方面的应用已经得到了广泛的研究。然而,在传统的MXenes合成方法中,使用了涉及高毒性HF或类似物的耗时的多步骤步骤。此外,−F端基不可避免地存在于这些MXenes中,不利于超级电容器和电池的性能。
基于此,佐治亚理工学院Chingping Wong,井冈山大学Bo Liu,南京林业大学Jizhang Chen报道了开发了一种无氟电化学刻蚀方法来合成Ti3C2Tx,刻蚀效率高达92.2%。
文章要点
1)特别值得一提的是,声化法可以在不使用任何有害的有机插入剂的情况下制备d-Ti3C2Tx薄片,比以前报道的所有电化学蚀刻方法都要简单和省时得多。所得EE-Ti3C2Tx不含F元素,含有−Cl末端官能团,横向尺寸为∼3.8 μm,∼厚度为3.9 nm,比HF-Ti3C2Tx更稳定。
2)此外,采用真空过滤法制备了EE-Ti3C2Tx薄膜,该薄膜具有良好的力学性能(强度为20.52 MPa,模量为13.4 GPa)和较大的电导率(1663 S cm−1)。用于超级电容器时,EE-Ti3C2Tx薄膜可提供出色的比电容(323.7 F g−1、1.39 F cm−2和1160 F cm−3),在已报道的性能最好的MXenes中名列前茅。此外,将Ee-Ti3C2Tx薄膜用于组装柔性准固态ZHC器件,实现了20.8 mWh cm−3和249.9μWh cm−2的高能量密度。
参考文献
Jizhang Chen, et al, Simplified Synthesis of Fluoride-Free Ti3C2Tx via Electrochemical Etching toward High-Performance Electrochemical Capacitors, ACS Nano, 2022
DOI: 10.1021/acsnano.1c09004
https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09004
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