Nature子刊：CVD快速制备大面积单晶石墨烯薄膜！

CVD是制备高品质石墨烯的主流方法。目前石墨烯在Cu上生长速度一般不足0.4 μm s^-1，导致大面积单晶石墨烯的生成需要几个小时的时间，不利于工业生产。

 

有鉴于此，Xu等人报道了一种改进的CVD制备方法，可以最高达60 μm s^-1的速度生长大面积的单晶石墨烯薄膜。

 

研究人员利用一种氧化物基底（SiO₂或Al₂O₃），高温条件下在Cu箔表面持续释放出氧气，大大降低了CH₄分解的能垒，从而提高了生长速度，可以在5 s内制备得到最大边长达0.3 mm的单晶石墨烯薄膜。

 

总之，这项研究成果为石墨烯的产业化发展提供了较好的借鉴思路！

 

图1. 制备装置简易图

 

 

图2. 石墨烯表征

 

 

图3. 氧气辅助机理

本文主要参考以下资料，图片和视频仅用于对相关科学作品的介绍、评论以及课堂教学或科学研究，不得作为商业用途。如有任何版权问题，请随时与我们联系！

Xiaozhi Xu, Enge Wang, Feng Ding, Hailin Peng, Kaihui Liu et al. Ultrafast growth of single-crystal graphene assisted by a continuous oxygen supply. Nature Nanotechnology 2016.