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Nature Commun：晶圆尺寸可溶液处理MoS2忆阻器阵列

纳米技术
2022-06-01


基于二维半导体材料的高密度和可靠的电阻随机存取存储器（RAM）是下一代信息存储和神经计算成功的关键。

有鉴于此，新加坡国立大学Aaron V-Y. Thean等报道通过溶液相处理方法得到晶圆尺寸二维MoS2忆阻器阵列。构建的MoS2忆阻器展示了优异的耐久性、较长的维持时间、较高的器件稳定性、较高的开/关比和线性增加的电导信号。

本文要点：

(1)

发现二维纳米片实现了一种独特的层间硫空穴扩散效应调节器件的开关，其性能可以通过薄片的尺寸分布情况进行控制。此外，MNIST手写数字识别实验结果显示，MoS2忆阻器的操作准确率达到>98.02 %，说明其在模拟内存的应用前景。通过二维MoS2层堆叠，构建单片三维存储立方体，为高密度神经形态计算过程中可执行双忆阻器提供机会。

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参考文献

Tang, B., Veluri, H., Li, Y. et al. Wafer-scale solution-processed 2D material analog resistive memory array for memory-based computing. Nat Commun 13, 3037 (2022)

DOI: 10.1038/s41467-022-30519-w

https://www.nature.com/articles/s41467-022-30519-w



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