AM：用于存储器和神经形态器件应用的铁电晶体管

湘湘

2022-12-10

在过去的几十年里，铁电材料由于其非易失性极化特性而被广泛研究用于高性能非易失性存储器件。铁电存储器件有望表现出比传统存储器件更低的功耗和更高的速度。然而，非互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容性和由于传统钙钛矿基铁电材料的疲劳导致的退化在过去阻碍了高密度和高性能铁电存储器的发展。最近开发的氧化铪基铁电材料在先进半导体器件的开发中引起了极大的关注。因为氧化铪通常用于CMOS工艺，所以它可以直接结合到当前的半导体技术中。此外，氧化铪基铁电体显示出高可扩展性，这对于高密度存储器件是有利的。

浦项科技大学Jang-Sik Lee等总结了铁电器件，特别是铁电晶体管在下一代存储和神经形态应用方面的最新进展。

本文要点：

（1）

作者首先，回顾了铁电存储器的类型及其工作机制。然后，作者讨论了限制高性能铁电晶体管实现的问题和可能的解决方案。作者还评述了铁电晶体管阵列的实验演示，包括三维铁电NAND及其工作特性。

（2）

最后，作者概述了基于铁电晶体管的下一代存储器和神经形态应用开发的挑战和策略。

参考文献:

Kim, I.-J. and Lee, J.-S. (2022), Ferroelectric Transistors for Memory and Neuromorphic Device Applications. Adv. Mater.. Accepted Author Manuscript 2206864.

DOI: 10.1002/adma.202206864

https://doi.org/10.1002/adma.202206864