Nat. Mater.：MoSe2/CrBr3范德华异质结构中的不对称磁近邻相互作用
Nanoer-z
2022-12-21
原子级别薄的半导体和二维磁体之间的磁近邻相互作用提供了一种在非磁性单层中操纵自旋和谷自由度的方法，而无需使用外加磁场。在这种范德华异质结构中，磁近邻相互作用起源于两种材料中自旋相关的电子波函数之间的纳米级耦合，通常它们的整体效应被认为是作用于半导体单层的有效磁场。鉴于此，洛斯阿拉莫斯国家实验室Scott A. Crooker等证明了范德华异质结构中的磁近邻相互作用实际上可以是明显的不对称的。
本文要点：
（1）MoSe2/CrBr3范德华结构的谷分辨反射光谱显示，由于CrBr3层的铁磁性，MoSe2的K和K′谷底的能量移动明显不同。
（2）密度函数计算表明，谷不对称的磁近邻相互作用敏感地依赖于重叠带的自旋杂化，因此可能是混合范德华结构的一个普遍特征。这些研究提出了控制单层半导体中特定自旋和谷状态的途径。
Choi, J., Lane, C., Zhu, JX. et al. Asymmetric magnetic proximity interactions in MoSe2/CrBr3 van der Waals heterostructures. Nat. Mater. (2022).
DOI: 10.1038/s41563-022-01424-w
https://doi.org/10.1038/s41563-022-01424-w
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