乔世璋Sci. Adv.: 从原子水平改造材料，使其电容达到理论极限
ivvi
2018-10-21
基于原子水平的结构改造工程对于改变材料物理化学性质具有重要作用，但是针对材料电容性质的研究相对较少。有鉴于此，乔世璋教授课题组运用原子水平结构改造工程技术研究ZnxCo1−xO的电容性质。研究发现，材料表面大量的O空穴增加了氧插层的几率，原子级分散的Zn提高了电子传输的速度，从而使其容量接近于理论极限。
Tao Ling, Pengfei Da, Xueli Zheng, Binghui Ge, Shi-Zhang Qiao*, et al. Atomic-level structure engineering of metal oxides for high-rate oxygen intercalation pseudocapacitance[J]. Sci. Adv., 2018
Doi：10.1126/sciadv.aau6261
下载链接：http://advances.sciencemag.org/content/4/10/eaau6261
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