AM：高性能紫外LED中AlGaN QW的残余Al原子驱动外延

NavyLIu

2025-03-14

基于AlGaN的紫外（UV）发光二极管（LED）在280-330 nm波长范围内的效率显著降低。鉴于UV LED在该波长范围内的广泛应用，弥合这一效率差距势在必行。近日，北京大学王新强引入了一种由残留Al吸附原子存在的促进策略，以在低Al组分AlGaN量子阱（QW）生长过程中同时提高Ga吸附原子的集成和Al/Ga吸附原子的迁移，即使在与高Al组分GaN量子势垒相当的高温下也是如此。

本文要点：

1) 这种生长策略能够外延高质量的AlGaN QW，在UVB间隙具有宽的可调发射波长范围。利用这种方法，作者开发了有效桥接UVB间隙的高效UV LED。

2) 此外，得益于这种QW生长结构，这些UV LED具有超长的L₇₀寿命，标志着AlGaN QW生长技术向前迈出了重要一步，扩大了UV LED的应用前景。

参考文献：

Tai Li et.al Residual Al Adatoms Driven Epitaxy of AlGaN QWs for High-Performance UV LEDs Adv. Mater. 2025

DOI: 10.1002/adma.202501601

https://doi.org/10.1002/adma.202501601