AFM:高性能红外探测器中HgTe胶体量子点的金掺杂
NavyLIu
2025-04-12
HgTe胶体量子点(CQD)因其极宽的光谱响应和优异的溶液加工性能而引起了人们的极大关注,使其成为下一代红外光电探测器的有效候选者。然而,p型HgTe CQD的有限可用性对器件构建构成了重大挑战。近日,华中科技大学蓝新正确定了一种基于阳离子交换过程的室温工艺,用于制备p型掺金HgTe CQD。
本文要点:
1) 与传统的掺银HgTe CQD相比,所得的掺金HgTe CQDs表现出可调的p型掺杂、增强的缺陷钝化和改进的掺杂均匀性。通过使用掺金的HgTe CQD作为空穴传输层,作者展示了高性能的p-on-n光电二极管,其中在≈1.6µm处的记录外部量子效率(EQE)为58.8%,比探测率高达1012 Jones。
2) 该工作表明了CQD中异价掺杂对推进红外光电器件的前景,并为进一步探索纳米材料中的创新掺杂策略铺平了道路。

Mengxuan Yu et.al Gold Doping of HgTe Colloidal Quantum Dots for High-Performance Infrared Photodetectors Adv. Functional Mater. 2025
DOI: 10.1002/adfm.202423299
https://doi.org/10.1002/adfm.202423299
版权声明:
本平台根据相关科技期刊文献、教材以及网站编译整理的内容,仅用于对相关科学作品的介绍、评论以及课堂教学或科学研究,不得作为商业用途。
