AM：高性能Ga2O3深紫外存储光电探测器通过界面电荷库设计实现多功能应用

Nanoer-z

2025-06-06

高性能探测器的研发对现代光电子技术创新具有关键作用。然而实现高性能探测器仍面临巨大挑战，尤其是当前仅具光电转换功能的探测器已无法满足单个器件多功能化的发展需求。鉴于此，中科大Nan Gao、Xiaolong Zhao等展示了一种基于宽禁带半导体Ga₂O₃的新型存储光电探测器，通过将存储特性集成到探测器中实现功能突破。

本文要点：

（1）该器件基于光照与电调控下界面电荷库对沟道载流子的动态控制，展现出卓越的存储特性与光电探测性能：实现了纳秒级超高速编程/擦除操作，开关比高达10⁹；同时具备近零暗电流、创纪录的高响应度（6.7×10⁷ A W^-1）和紫外光灵敏度，成为目前最灵敏的紫外光电探测器。

（2）研究首次挖掘了该器件在弱光成像增强、光信息存储及被动模式下光运动轨迹记录方面的应用潜力。这项工作为高性能存储探测器的发展开辟了新路径，拓展了器件功能的新维度。

X. Hou, C. Li, C. Chen, S. Bai, Y. liu, Z. Peng, X. Zhao, X. Zhou, G. Xu, N. Gao, S. Long, High-Performance Ga₂O₃ In-Memory DUV Photodetectors By Interface Charge Reservoir Design for Multifunctional Applications. Adv. Mater. 2025, 2506179.

https://doi.org/10.1002/adma.202506179