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Nano Micro Letters：通过相位调节实现高效近红外钙钛矿发光二极管

NavyLIu
2025-06-23


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α相甲脒三碘化铅（FAPbI3）在近红外钙钛矿发光二极管（NIR-PeLED）中表现出优异的性能。真空加工技术由于其无溶剂特性和与大规模生产的兼容性，受到了工业界和学术界的广泛关注。然而，真空沉积的近红外PeLED研究较少，其效率远远落后于基于溶液的PeLED，因为通过热蒸发制备纯α-FAPbI3仍极具挑战性。在此，华中科技大学罗家俊、中国科学院刘征征、Du Juan报道了一种含Cs的三源共蒸发方法来开发钙钛矿薄膜。

本文要点：

1) 添加热稳定的Cs阳离子填充钙钛矿晶格，消除了蒸发过程中FA阳离子降解引起的金属Pb的形成。三源共蒸发策略显著促进了从黄色δ相FAPbI3到黑色α相FACsPbI3的相变，形成了光滑、均匀、无针孔的钙钛矿薄膜，具有更高的结晶度和更少的缺陷。

2) 在此基础上，FACsPbI3基NIR PeLED产生的最大EQE为10.25%，比FAPbI3基PeLED高出约六倍。该工作展示了一种通过热蒸发实现α-FAPbI3的有效策略，并为未来商业化的高效钙钛矿光电器件铺平了道路。

参考文献：

Siwei He et.al Efficient Thermally Evaporated Near-Infrared Perovskite Light-Emitting Diodes via Phase Regulation Nano Micro Letters 2025

DOI: 10.1007/s40820-025-01776-3

https://doi.org/10.1007/s40820-025-01776-3




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