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Nano Letters：通过激光加工和ALD钝化增强2D MoTe2模拟转换

NavyLIu
2025-12-17


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由忆阻器和忆晶体管实现的神经计算引起了人们的广泛关注，二维（2D）二碲化钼（MoTe2）因其低相变能垒和可调电行为而成为一种有前景的候选者。然而，由于原始器件中缺乏足够大的存储窗口，MoTe2在神经形态应用中的全部潜力实现受到了阻碍。近日，阿尔托大学Harri Lipsanen、Seyed Hossein Hosseini-Shokouh、Mohamed Radwan提出了一种有效的方法来显著增强MoTe2器件的模拟转换。

 

本文要点：

1) 该方法涉及两个连续的过程：激光处理，然后是Al2O3的原子层沉积。这两种工艺的协同效应显著提高了性能，当作为忆阻器工作时，动态范围提高了70倍，当作为记忆晶体管工作时，提高了20倍。

2) 因此，人工神经网络模拟表明，模式识别精度提高了10倍，而双忆阻器/忆晶体管结构使同突触和异突触可塑性的模拟成为可能。

 

参考文献：

Mohamed Radwan et.al Enhanced 2D MoTe2 Analogue Switching through Laser Processing and ALD-Passivation for Dual-Function Neuromorphic Devices Nano Letters 2025

DOI: 10.1021/acs.nanolett.5c05915

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.5c05915




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