AM：10µm厚大面积Au（111）单晶箔的超快制备
NavyLIu
2026-01-17
单晶金箔广泛应用于力学、催化和二维材料生长的基底。然而，由于表面自扩散抑制了晶粒生长，大面积单晶金箔的制备仍极具挑战性。中国科学院任文才、徐川报道了一种氧促进退火方法，用于制备10µm厚的单晶Au（111）箔。
1) 多晶Au箔中残余应力的不均匀分布加速了多个晶粒的生长和聚结，因此可以在10分钟的退火过程中获得面积高达100 cm2的单晶Au（111）箔。与目前的技术相比，该方法具有更高的制备效率。
2) 机理分析证实，氧气掺入有效抑制了表面自扩散，由此促进了晶粒生长。此外，可以使用所获得的箔作为外延模板来制备块体单晶Au（111）箔。该方法也适用于制备单晶Pt（111）箔。
参考文献：
Huixuan Wang et.al Ultrafast Preparation of 10-µm-Thick Large-Area Single-Crystal Au (111) Foils Adv. Mater. 2025
DOI: 10.1002/adma.202515581
https://doi.org/10.1002/adma.202515581
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