AM：无机分子晶体隧穿层实现二维半导体的高度可调肖特基势垒

NavyLIu

2026-08-24

肖特基势垒的有效调谐决定了金属-半导体界面上的电荷传输，对于优化电子和光电子器件的性能至关重要。然而，金属和半导体之间的界面紊乱和轨道重叠会导致费米能级钉扎（FLP），使肖特基势垒高度（SBH）对金属功函数基本不敏感。近日，华中科技大学翟天佑、Liu Kailang证明了在金属和2D半导体之间沉积Sb₂O₃的超薄无机分子晶体层可以消除FLP，从而实现高度可调的SBH调制。

本文要点：

1) 由于其范德华结构，Sb₂O₃不会引入多余的缺陷，并保护脆弱的2D通道免受金属沉积损伤，从而产生清洁、无缺陷的界面。Sb₂O₃隧穿层的引入显著降低了2D MoS₂晶体管中的SBH，并且可以通过调整接触金属功函数将2D WSe₂基FET的极性从n型切换到p型。

2) 此外，钉扎因子从-0.11变为-0.93左右，接近理想的莫特肖特基极限。这种可扩展的策略在高性能2D电子产品中具有广泛的适用性。

参考文献：

Lixin Liu et.al Highly Tunable Schottky Barrier to 2D Semiconductors Enabled by an Inorganic-Molecular-Crystal Tunneling Layer Adv. Mater. 2026

DOI: 10.1002/adma.74761

https://doi.org/10.1002/adma.74761